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晶界层电容器的C-V特性

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摘要

本文从理论上解释了由半导体晶粒间的绝缘晶界以及晶界两侧的SI结和IS结势垒三者组成的晶界层电容,在低偏压下的C-V特性.指出了绝缘晶界和结势垒对C-V特性的不同影响,分析了高偏压下C-V和I-V特性相关性的物理本质.

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来源
《压电与声光》 |1990年第4期|29-32|共5页
作者
黄卓和;
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作者单位

广州师范学院物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TM534.1;
关键词
晶界层电容器; C-V特性; 陶瓷电容器;

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