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宁小光; 叶恒强;
中国科学院金属研究所固体原子象开放实验室;
氧化铕; 晶体; 侧表面成象; 表面台阶;
机译:应力松弛下GaAs(001)表面位错诱导和邻位单原子台阶的形成与相互作用
机译:固体自由表面的表面台阶-位错转变和位错成核
机译:硅表面台阶产生的位错形核:滑移组与混洗组
机译:SiC溶液生长过程中,由于宏观台阶在生长表面的碰撞而引起的基面位错的形成
机译:晶体表面壁架位错成核的连续和原子模型
机译:超精密加工中蓝宝石表面的原子台阶形成
机译:特别问题:“原位光子探测”晶体生长表面的表征。原位观察通过表面光吸收法从GaAs表面的解吸过程观察。
机译:第一部分:位错和取向对银表面电气双层容量的影响第二部分:1963年3月1日最终报告的补充:表面处理和位错对银催化分解的影响
机译:具有用于连接光纤的插头和耦合器的插头连接器的一侧形成台阶,形成突出端,光纤出口表面位于前表面,导向销位于后表面
机译:形成具有高可靠性的薄栅极氧化物的方法,该可靠性通过在栅极氧化物的上表面上形成氮化物来改善在栅极氧化物的上表面上的氮原子形成障碍而得到的产品
机译:用于机动车辆的装饰部件包括标志,该标志形成在面向观察区域的前侧,其中标志由沿观察方向布置的顶表面和形成背景的底表面形成。
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