SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED

摘要

利用MOCVD在SiC衬底上采用AlN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和(102)摇摆曲线分别是303″和311″,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度为0.19nm,小于蓝宝石衬底上GaN薄膜的粗糙度。采用不同厚度的AlN缓冲层外延GaN基蓝光LED,并研究了薄膜中的应变状态。当采用不同的AlN缓冲层时,倒易空间图证实InGaN/GaN量子阱区完全应变的外延在GaN层上,而AlN缓冲层则是弛豫的。外延片进行管芯工艺制备,得到高亮度的LED。