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鲍军波; 任天令; 刘建设; 刘理天; 李志坚; 李兴教;
清华大学微电子所;
华中科技大学电子科学与技术系;
Mn掺杂; BST薄膜; 溶胶-凝胶法; X-射线光电子能谱; I-V特征; 介电性质;
机译:铁和氟共掺杂BST薄膜在微波领域的制备与表征
机译:掺杂浓度对Mn和Y交替掺杂BST薄膜介电性能的影响
机译:y和Mn的超级介电损耗交替掺杂的非渗透性BST薄膜
机译:钛酸钡(BST)膜通过气溶胶沉积法制备钛酸锶钡(BST)薄膜的介电表征
机译:通过反应溅射制备的阳离子掺杂钛双氧薄膜:合成,表征和在环境催化中的应用。
机译:压电纳米填料掺杂的聚(乙烯-乙酸乙烯-乙酸乙烯酯)复合薄膜的制备表征和性能
机译:离子束溅射制备低掺杂sn掺杂In2O3(ITO)薄膜。
机译:Mn PZT Mn PZT MN掺杂的PZT压电薄膜形成成分和MN掺杂的PZT压电薄膜组成
机译:MN掺杂PZT基压电薄膜形成组合物及MN掺杂PZT基压电薄膜
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