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黄继颇; 王连卫; 祝向荣; 多新中; 林成鲁;
中国科学院上海冶金所;
氮化铝; 脉冲激光沉积; 压电性; 半导体薄膜技术;
机译:使用新提出的Al(acac)_3前驱体通过激光化学气相沉积制备c轴取向的AlN薄膜
机译:通过脉冲激光沉积制备c轴垂直取向六方锶锶铁氧体薄膜的SrFeO非晶质底层
机译:通过脉冲激光沉积制备的c轴优先取向羟基磷灰石薄膜的体外溶解和力学行为。
机译:取向C轴,在平面纹理硼化型薄膜沉积的脉冲激光沉积:结构,表面形态和物理性质
机译:通过脉冲激光沉积制备半金属磁性氧化物薄膜的材料物理学:控制锶铁钼氧化物和铬氧化物薄膜的晶体结构和近表面性质。
机译:C轴的体外溶解和力学行为优先取向脉冲激光沉积制造的羟基磷灰石薄膜
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)
机译:制备聚乙烯醇双轴取向薄膜的方法和由相同的双轴芳醛取向制备的薄膜
机译:双脉冲激光沉积法制备氮化镓P型半导体晶体薄膜的方法及相同方法制备的薄膜
机译:固体靶脉冲激光气相沉积法制备GaN晶体薄膜的方法及该方法制备的薄膜
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