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李兴教; 王宁章; 鲍军波; 邹雪城; 徐静平; 陈涛; LI Shao-ping;
华中科技大学电子系;
武汉;
430074;
Advanced Recording Technology Laboratory Seagate Technology;
N55435 U.S.A;
二极管; 层状铁电薄膜; 界面电位降; 耗尽层;
机译:界面处的Ag杂质对Pt / Ba0.6Sr0.4TiO3 / Pt薄膜铁电变容二极管的能带排列和电性能的影响
机译:原子界面工程微米级厚度的SrMoO3氧化物电极,用于可在低压下调谐的薄膜BaxSr1-xTiO3铁电变容二极管
机译:新型铁电/旋磁铁氧体(Pb,Sr)TiO3 / Y3Fe5O12层状薄膜的研究及其在磁和电调谐装置中的潜在应用
机译:铁电/半导体异质结中界面电位变化引起的负电容及其时间演化模拟
机译:用于在水环境中操纵界面力的铁电薄膜。
机译:出版商更正:外延钙钛矿薄膜的铁电-铁磁界面的原子尺度工程以提供功能特性
机译:通过原位分析技术研究铁电异质结构薄膜,界面和器件211相关过程
机译:层状结构的铁电栅极薄膜晶体管和铁电薄膜电容器
机译:铋层状铁电材料,铁电元件及制造铁电薄膜的方法
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