流延法制备ZnO-V_2O_5-Sb_2O_3基压敏电阻

摘要

通过显微组织观察和电性能测试等研究了制备工艺和样品厚度对流延法制备单层方形ZnO-V2O5-Sb2O3(ZnVSb)基压敏电阻的影响。在流延基础上,通过加压排胶和烧结可制得无翘曲、显微组织均匀且致密的样品。900℃、4 h烧结1 mm厚样品性能最佳:非线性系数及压敏电压分别为45 V/mm和600 V/mm。样品的非线性系数随厚度的减少而降低。