纳米氮化镓/碳化硅固溶晶薄膜电子微结构

摘要

采用高功率密度、高氢稀释和直流偏压 PECVD技术制备纳米碳化硅 /氮化镓固溶晶薄膜。经过透射电镜观察 ,形状为微丘陵状 ,晶粒径在 3～ 16 nm范围 ,垂直衬底生长 ,其宽化衍射环与单晶碳化硅吻合。拉曼光谱与4 H -多型 Si C范围相似。并出现晶态氮化镓的特征峰。这表明制备出纳米碳化硅