BiYbO_3掺杂对KNN-LS压电陶瓷微结构与电性能的影响

摘要

采用传统陶瓷烧结工艺,制备了BiYbO3掺杂的xBiYbO3-0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05LiSbO3(xBY-KNN-LS)(x=0～0.002,摩尔分数)无铅压电陶瓷。研究了BiYbO3掺杂对陶瓷相结构、显微组织和电性能的影响。结果表明,随着BiYbO3掺杂含量的增加,晶粒变细,居里点逐步向低温方向移动,压电性能先增加后降低,介电损耗tanδ先增加后减小。在0≤x≤0.001 5的范围内,存在斜方相与四方相共存的准同型相界,当x=0.1%时得到最佳电性能:压电常数d33=245pC/N,机电耦合系数kp=44.75%,居里温度TC=365℃,tanδ=4.5%。