MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真

摘要

使用TSUPREM - 4二维集成电路工艺仿真系统对P -MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真 以数据方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行为 。