干法刻蚀条件对Mo侧壁角度的影响

摘要

该文介绍了F基气体电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀系统对金属Mo薄膜侧壁角度的影响。通过调节ICP干法刻蚀设备的射频功率、ICP离子源功率、腔体气压、SF6及Ar的气体流量等工艺参数,实现了30.3°～51.6°的侧壁倾角,为薄膜体声波谐振器（FBAR）研制工艺提供了有益指导。