激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响

摘要

该文分析了激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响,获得了对CrSi薄膜电阻进行激光修调的优化方法。实验结果表明,150℃储存48h,可完全消除激光修调带来的影响,使CrSi薄膜电阻温度系数降到了20×10-6/℃,提高了CrSi薄膜电阻网络的稳定性,从而为研制高性能模拟集成电路打下坚实的基础。