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王代强; 杨发顺; 徐希嫔; 陈雨青; 刘桥;
贵州大学人民武装学院;
贵州大学理学院;
贵州省微纳电子及软件技术重点实验室;
贵阳学院物理与电子信息科学系;
流量比; AlN薄膜; 直流磁控反应溅射; 元素种类与含量;
机译:添加到氩氮溅射气体中的氢含量和衬底偏置电压的参数空间,以通过不平衡磁控溅射法形成立方氮化硼薄膜
机译:反应性直流磁控溅射沉积氩/氮气体混合物的钛-铜-氮纳米复合薄膜
机译:通过射频磁控溅射在不同的硅基衬底上沉积的AlN薄膜
机译:RF溅射在氩氮 - 氢气混合物中产生的ALN薄膜的密度分布
机译:研究磁控溅射生产的氧化锌基薄膜的结构,电,光和磁性能。
机译:通过磁控溅射中氮流量的氮气流量调节的Ti-Zr三元氮化物薄膜的结构组成和等离子体特性
机译:通过磁控溅射获得的alN层和alN / mn多层膜的物理性质研究= ud研究alN层的物理性质和/或通过磁控溅射获得的多层alN / mn
机译:含金属的α,Omega-Dienes的环化聚合。 1.3-二乙烯基四甲基二硅氧烷,1,3-二乙烯基四甲基二硅氮烷和1.3-二乙烯基五甲基二硅氮烷。
机译:改性聚硅氮烷薄膜及其制备气体阻挡薄膜的方法
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