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王瑜; 彭斌; 李川; 张万里; 刘兴钊;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
TC4钛合金; 中频磁控反应溅射; 两步法; AlN薄膜; 声表面波(SAW)器件;
机译:直流磁控溅射在具有ZnO缓冲层的Si衬底上制备高c轴取向的AlN薄膜
机译:在不同基材上合成c轴取向AlN薄膜的研究进展
机译:使用AlN中间层改善在Mo电极上制备的AlN薄膜的晶体取向
机译:离子束辅助射频磁控溅射制备C轴平行取向AlN薄膜谐振器
机译:含荧光团的聚合物薄膜的制备,取向和理化特性的研究。
机译:在高度c轴取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜中具有超低应变滞后的大压电应变并且在非晶玻璃基板上呈柱状生长
机译:AlN底层铝轴取向钡铁氧体薄膜的制备
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)
机译:制备聚乙烯醇双轴取向薄膜的方法和由相同的双轴芳醛取向制备的薄膜
机译:双轴取向聚酯薄膜,以及制备双轴取向聚酯薄膜的方法
机译:双轴取向的聚芳硫醚薄膜和制备双轴取向的聚芳硫醚薄膜的方法
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