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夏钟福; 邱勋林; 朱伽倩; 张冶文;
同济大学波尔固体物理研究所;
化学表面修正; 抗湿能力; 电荷; 热稳定性; 六甲基二硅胺烷; 二氯二甲基硅烷;
机译:单电子隧穿力谱研究SiO_2和Si_3N_4薄膜中陷阱态的局部密度
机译:SiO_2,Si_3N_4和氧氮化硅合金薄膜中导带边缘和O空位缺陷态的多重理论
机译:通过在闪存应用中采用Si_3N_4 / SiO_2 / Si_3N_4多层来改善隧道电介质的电流-电压特性
机译:薄膜晶体管,具有脉冲激光沉积在Si_3N_4 / SiO_2 / Si(111)基板上生长在Si_3N_4 / SiO_2 / Si(111)底板上
机译:参见关于SiO_2中陷阱俘获电子的研究统计
机译:纳米厚的YIG薄膜中垂直驻极波的交换转矩诱导激发
机译:在siO_2和ag(111)表面上的dotriacontane薄膜的结构和生长:同步辐射X射线散射和分子动力学模拟
机译:通过高分辨率初始化表面态改善美国东南部夏季降水的数值天气预报
机译:用于制造sio_2薄膜的材料的方法和使用相同的sio_2薄膜的方法
机译:氮化硅膜Si_3N_4或氧化硅膜SiO_2的高温石墨实验容器及其制造方法
机译:使用化学计量改性的氮化物蚀刻停止层进行高密度选择性SiO_2:Si_3N_4蚀刻
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