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杨中月;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
T型栅; 深紫外; 化学放大胶; 分辨率增强技术; 砷化镓; 赝配高电子迁移率晶体管; 单片微波集成电路;
机译:DUV微球投影光刻技术高通量实现红外选择性吸收体/发射体
机译:利用DUV全息光刻技术制作亚四分之一微米光栅图案
机译:显微镜投影光刻技术,用于软光刻中具有微米级特征的母版快速原型制作
机译:使用EUV干涉和纳米压印光刻技术制造的用于DUV到IR的双层线栅偏振器
机译:i-line和DUV光刻胶的光刻性能及其在先进集成电路技术中的应用。对苯二甲酸二辛酯(5-)作为细胞外空间标记物和NMR移位试剂,用于定量测定组织。人工湿地中铬(IV)的化学性质。
机译:使用投影微立体光刻技术对温度响应型水凝胶进行微3D打印
机译:飞秒激光光刻技术在正性光刻胶上制造亚微米T型栅
机译:用于亚100nm通道长度晶体管的X射线光刻技术,采用常规光刻,各向异性蚀刻和斜阴影制作的掩模
机译:用于EUV波长范围的反射光学元件,器件的制作和校正方法,用于微光刻投影透镜以及用于具有该元件的投影透镜的微光刻投影曝光设备
机译:-使用T-BOC型DUV抗蚀剂的基础树脂和使用它的光刻工艺
机译:使用ACETAL型DUV抗蚀剂的基础树脂和使用它的光刻工艺
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