应用于5GHz频段的宽带低噪声放大器设计

摘要

针对WLAN 802.11a/ax频段和未来第五代移动通信5GHz以上应用,设计了一款5~6GHz的低噪声放大器(LNA),其工艺基于IBM 0.18μm SiGeBiCMOS工艺.该设计采用共发射极的两级放大结构,第一级采用射极电感负反馈,第二级采用电压并联负反馈,有效优化了噪声系数和线性度.测试结果表明在5~6GHz频率范围内,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-14.6dB和-12.8dB,正向增益S21大于10.4dB,噪声系数小于2.7dB.在2.5V工作电压下,功耗为15mW.