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大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究

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金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。

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来源
《量子电子学报》 |2003年第6期|707-710|共4页
作者
潘教青; 黄柏标; 张晓阳; 任忠祥; 秦晓燕; 朱宝富; 李先林;
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作者单位

山东大学晶体材料国家重点实验室;

山东华光光电子有限公司;

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正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
金属有机物化学气相沉积; 生长中断; 应变缓冲层; 应变量子阱激光器; InGaAs/GaAs量子阱;

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