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刘彦松; 王连卫; 黄继颇; 林成鲁;
中国科学院上海冶金研究所;
缓冲层; PLD; 氧化锌; 氮化铝薄膜;
机译:直流磁控溅射在具有ZnO缓冲层的Si衬底上制备高c轴取向的AlN薄膜
机译:ScGaO_3(ZnO)_m缓冲层制备ScAlMgO_4外延薄膜及其在ZnO外延生长的晶格匹配缓冲层中的应用
机译:等离子体辅助热丝化学气相沉积法在ZnO缓冲层上沉积AlN薄膜:朝向高度c轴取向的均匀绝缘膜
机译:具有ZnO缓冲层的C轴取向AlN薄膜的晶体质量改善
机译:半透明氧化锌:低温制备的铝/铜(I)氧化物薄膜异质结:结处本征ZnO缓冲层的作用
机译:60-nm厚的AlN缓冲层在n-ZnO / AlN / p-Si中的功能(111)
机译:使用薄Aln缓冲层制备和表征Si(111)衬底上的ZnO纳米结构
机译:基于Znse和ZnO缓冲层的多晶薄膜CuInse(sub 2)太阳能电池的研究。最终报告,1992年2月16日 - 1995年11月15日
机译:利用原子层沉积和包括P型ZnO半导体层的薄膜晶体管制造P型ZnO半导体层的方法
机译:制备薄膜晶体管空基板的阶段,该薄膜晶体管空基板包括利用生产方法生产的ZnO半导体膜及其利用的p模ZnO半导体膜的生产方法
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