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徐峰; 吴真龙; 邵勇; 徐洲; 刘启佳; 刘斌; 谢自力; 陈鹏;
南京大学扬州光电研究院;
南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室;
InGaN; X射线衍射; 原子力显微镜; X射线光电子能谱; 喇曼散射;
机译:铟组分对MOCVD生长的InGaN / GaN异质结构的热电性能的作用
机译:MOCVD生长的全应变c平面InGaN /(In)GaN多量子阱中极化场强度的降低
机译:在宽压MOCVD反应器中生长的InGaN / GaN和InGaN / InGaN QDS的研究
机译:生长条件对MOCVD种植的INGAN散装材料相分离的影响
机译:高压MOCVD反应器中InGaN材料和器件结构的生长
机译:通过金属有机化学气相沉积(mOCVD)生长富InGaN量子点(QD)
机译:生长Ingan的方法和Mogan生长的MOCVD设备
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在多孔氮化镓(GaN)模板上生长氮化铟镓(InGaN)
机译:金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在多孔氮化镓(GAN)模板上生长氮化铟镓(INGAN)
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