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唐碧华; 刘元安;
北京邮电大学研究生院;
北京邮电大学科技处;
静电场; 静电屏蔽; 导体柱;
机译:第二部分:导体背隙的缝隙天线元件被短路柱腔包围以抑制平行板模式激励—设计分析和实验
机译:静电场中液柱射流的破裂
机译:用n型半导体层间重建内垂体电场的五偏静电场效应晶体管的内存特性
机译:具有部分高度柱和复合导体负载腔的偏高柱和圆形腔的全波边界轮廓模式匹配分析和CAD
机译:第一部分:使用高速HPLC色谱柱对药物化合物进行快速分析。第二部分使用填充柱超临界流体色谱法同时测定片剂剂型中的药物。第三部分使用毛细管电泳对选定药物进行药物分析。
机译:Sub-20制造过程中的方差减少用于垂直栅全能金属氧化物半导体的nm Si圆柱纳米柱场效应晶体管
机译:层状结晶BCS超导体静电场的影响
机译:两个球形导体之间的准静电场构建
机译:半导体器件包括接触插塞,其具有从柱部分延伸的柱部分和突出部分
机译:包括具有在柱状部分之间的接合部分的柱的三维半导体存储器
机译:插针或插口接触元件-具有轴向螺柱和导体连接部分,如钣金冲压件U =带有侧槽的部分
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