低阻硅CMOS工艺片上互连线模型

摘要

提出了一种新的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺片上的互连线模型,模型在考虑互连线金属导体高频效应和衬底效应的基础上,引入了一个电容来表征金属导体通过氧化层在低阻硅衬底中引起的容性耦合特性。建立的互连线模型通过0.18μm CMOS工艺上制作的互连线测试数据验证,频率精度可至50 GHz。