半导体陶瓷Schottky势垒型器件晶界势垒问题探讨

摘要

研究有受主态扩散层的Schottky势垒型半导体陶瓷的晶界势垒。通过建立简化模型,引入参数K(扩散层内与耗尽层内的正空间电荷浓度之比),讨论晶界势垒随受主态扩散浓度和扩散深度的变化规律,得出有助于理解扩散工艺对器件性能影响的结论。