CMOS电感电容压控振荡器中对称噪声滤波技术的研究

摘要

提出一种基于CMOS电感电容压控振荡器的对称噪声滤波技术。仿真结果表明,对称噪声滤波技术能够在相同的功耗下改善相位噪声6dB。应用对称噪声滤波技术设计一个4.8GHz压控振荡器,在0.25μm CMOS工艺上制造,测试结果表明在偏离载波1MHz时相位噪声为-123.66dBc/Hz,整个振荡器的功耗仅为12mW,与同类型的压控振荡器比较,取得很好的PFTN指标。