真空间隙击穿机理的分析

摘要

论述了真空间隙击穿的三种机理（微放电、微粒迁移和场致电子发射）。通过定量的击穿机理分析表明,真空触头间隙击穿的主要原因是:微粒迁移和场致发射引起的阳极蒸发。