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荆象阳; 侯仰博; 张晓阳; 秦晓燕; 张寅;
山东电力研究院;
山东省特种设备检验研究院菏泽分院;
山东大学晶体材料研究所国家重点实验室;
齐鲁师范学院物理科学与技术系;
薄膜; 介电常数; 退火温度; X线衍射; 能隙;
机译:在单晶的轻和重电子galvanomagnetic特性表现正Bi_(0.88)Sb_(0.12),掺杂Te的
机译:(0 0 1)SrTiO_3衬底上的La_(1.89)Ce_(0.11)CuO_4 / Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3 / La_(0.88)Sr_(0.12)MnO_3异质结构中的界面
机译:铁电栅极FET存储器的外延结构SrBi_2Ta_2O_9 <116> / SrTiO_3 <011> / Ce_(0.12)Zr_(0.88)O_2 <001> / Si <001>
机译:通过脉冲激光沉积和耐疲劳性C-V特性在低温下制备SR_(0.7)Bi_(2 + X)Ta_2O_9薄膜,耐脉冲激光沉积,耐疲劳的C-V特性,具有大的内存窗口
机译:碳和铋薄膜的超薄膜的电子,振动和结构特性。
机译:微波烧结对0.95(Ca0.88Sr0.12)TiO3-0.05(Bi0.5Na0.5)TiO3陶瓷性能的影响
机译:压缩应变La0.88sr0.12mnO3超薄膜的厚度依赖传输特性
机译:栅极电极对结构m-TmF sub 3 -siO sub 2 -si的C-V特性的影响
机译:C-V特性测量系统和测量C-V特性的方法
机译:C-V特性测量系统和C-V特性测量方法
机译:具有动态C-V特性的高灵敏度和高动态范围CMOS图像传感器像素结构
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