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彭冬生; 王质武; 冯玉春; 牛憨笨;
深圳大学光电子器件与系统(教育部广东省)重点实验室;
深圳方大国科光电技术有限公司;
硅衬底; GaN薄膜; 发光二极管(LED);
机译:用于高效GaN基LED的图案化蓝宝石衬底的图案设计和外延生长
机译:硅衬底上生长的InGaN / GaN量子阱LED结构的阴极发光研究
机译:硅衬底上生长的GaN-LED外延薄膜位错密度的X射线衍射表征
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:GaN基LED器件和用于外延生长的衬底
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