真空气相沉积生长PTCDI-C8 N型有机薄膜晶体管

摘要

在大气环境下N型有机薄膜晶体管(OFET)的性能不稳定,为提高晶体管在大气环境稳定性,该文分别制作了SiO2单绝缘层器件和SiO2/PMMA双绝缘层器件。采用N型新材料PTCDI-C8作为有源层,Ag作为源、漏电极,对制作的不同绝缘层的器件进行聚对二甲苯的封装,对有源层进行形貌和晶体结构分析。并进行电流-电压(I-V)曲线测试。在相同工作电压下,双绝缘层器件比单绝缘层器件具有更大的场效应迁移率、开关电流比和更小的阈值电压。