长波长（1.0μm—1.7μm）InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD 的研究

摘要

为了适应光纤通信系统迅速发展的需要,设计制做了一种适用于长波长（1.0μm—1.7μm）范围的雪崩光电二极管。器件是通过在 InP 层中的雪崩倍增作用和在 InGaAs 层中的吸收作用以及在这两层中间置入的 InGaAsP 四元过渡层,从而得到器件低暗电流和高速率的工作。在精确分析了影响器件工作状态的各种因素之后,给出了器件的最佳的设计,用液相外延的方法制做出了器件,并对器件特性进行了分析。