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Fumio SHIMURA; Yoshio FUJINO; 张万鲲;
日本电子公司中心研究实验室;
机译:半导体硅化铁的晶体生长和基本物理性质
机译:半导体铁硅化物的晶体生长和基本物理性质
机译:NdFe2Si2的晶体生长和基本热力学性质
机译:与单晶和质量沉淀有关的混合晶体生长的微处理性质的不稳定性质
机译:生长晶体的原子原子力显微镜显示晶体生长和添加剂的掺入基本机制
机译:助焊剂晶体生长晶体结构和磁性三元铬二硫化物BA的性质
机译:Mnbi2te4的晶体生长和基本运输和磁性
机译:1.创新的基于弛豫的压电晶体:相图,晶体生长,畴结构和电性质。基于准同型相界合成,表征和结构 - 性质关系的压电和铁电材料
机译:煤生产化学性质和物理性质大的基本碳现有产品的方法
机译:考虑到电子传感器的新条件(基本性质)的反应性检查方法和用于执行称为基本曲线比较法的方法的设备
机译:基本上没有引入晶体生长缺陷的外延硅晶片
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