声表面波和体波声学器件用的Tl3BX4晶体的生长和特性

摘要

Tl3TaS4和Tl3TaSe4晶体具有声学器件上非常有用的特性。它们是压电体,具有低的声速（6.89-8.53×10~4厘米/秒）,高的机电耦合系数有效值（K~2～3%）以及具有延迟温度系数为零的方向。叙述了材料的制备、晶体的生长及其特性。