高导热性氮化铝陶瓷

摘要

改进了半导体器件基片用的氮化铝（AlN）陶瓷的导热性.过去认为在陶瓷中存在某些杂质会降低AlN的导热率,然而,经在原料粉末中添加适量的Y2O3助烧结剂,经过烧成获得了致密的陶瓷烧结体,其导热率远比未添加助烧结剂的热压烧结体为优.厚膜线路形成金属粘结是半导体基片制造中不可缺少的工艺,我们在烧结氨化铝陶瓷上成功地进行了试验.