制作在AlN外延膜上的零温度系数SAW器件

摘要

为将零温度系数SAW器件与有源半导体器件集成在一块芯片上,需采用新的薄膜技术,这种结构拟称为Si/蓝宝石或Si基片射频集成电路（RFIC）。AlN薄膜由于具有高的SAW速度,所以适用于工作频率达千兆赫以上的SAW器件。已制成了工作频率达1GHz以上的AlN/蓝宝石结构的零温度系数SAW延迟线。本文讨论下述研究工作的近况:（1）材料生长及AlN材料常数的估价;（2）SAW传播损耗及色散与频率和膜厚的关系;（3）AlN薄膜的质量对延时温度系数的影响;（4）AlN薄膜在RF电路集成化中的潜在应用;（5）温度对SAW相关器性能的影响。