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新型锑酸镉半导瓷Cd6Sb2O10的相变

         

摘要

本文报道了对新型锑酸镉半导瓷Cd6Sb2O10进行差热分析、热失重分析和高温X射线衍射分析的实验结果,并进行了系统地分析和讨论。结果表明,Cd6Sb2O10在240℃左右发生一结构相变,高温相具有较高的对称性,此相变是可逆的,从低温相向高温相转变时,相变温度为246℃,从高温相向低温相转变时,相变温度为228℃。

著录项

  • 来源
    《压电与声光》 |1988年第4期|15-17|共3页
  • 作者

    张靖漓; 李标荣;

  • 作者单位

    华中理工大学固体电子学系;

    华中理工大学固体电子学系;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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