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杨昊鹍; 刘玉岭; 王辰伟; 孙鸣; 张宏远;
河北工业大学微电子研究所;
天津300130;
硅通孔(TSV); 抛光液; 活性剂; 抛光速率; 表面粗糙度;
机译:硅通孔(TSV)的分析通孔表面粗糙度模型应用于毫米波3-D IC
机译:硅衬底上沉积的铜膜的表面粗糙度分析:分子动力学分析
机译:基于Taguchi灰色关联分析的车削铝/硅颗粒金属基复合材料表面粗糙度和刀具磨损的多响应优化。
机译:在不进行CMP的情况下最小化应变硅表面的微粗糙度
机译:分子吸附引起的表面粗糙度对镀金硅微悬臂梁挠度影响的计算分析。
机译:含硅纳米晶体微球稳定的金纳米粒子的合成如有效表面增强拉曼散射(SERS)衬底
机译:“表面粗糙度和播种过程对钛衬底上的硼掺杂微/纳米晶金刚石粘附的影响”
机译:0.18微米硅锗(siGe)和硅绝缘体(sOI)工艺中的衬底噪声耦合分析
机译:具有连接结构的半导体器件-在衬底表面中具有导电区域的表面部分,其表面粗糙度大于衬底的表面粗糙度
机译:具有微针排列的器件的制造方法,涉及制备硅半导体衬底,该硅半导体衬底的表面被涂覆并具有掩模层。
机译:在硅半导体衬底中制造用于将物质施加到皮肤中的半锥形微针的方法,包括在硅半导体衬底的正面的外表面上施加和构造掩蔽层。
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