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陈颖慧; 王旭光; 席仕伟; 施志贵; 姚明秋;
中国工程物理研究院电子工程研究所;
四川绵阳621999;
AlN薄膜; 射频反应磁控溅射; c轴择优取向; X射线衍射(XRD); 原子力显微镜(AFM);
机译:压电/超声材料:反应溅射法制备AlN薄膜-在薄膜体弹性波谐振器(FBAR)中的应用
机译:通过简单的气相沉积工艺表征由铝和氯化铵制得的高织构压电AlN薄膜
机译:(002)AlN薄膜的退火工艺和纳米级压电性能的优化
机译:工艺参数对脉冲磁控溅射沉积AlN和Al X inf> Sc 1-X inf> N薄膜的结构和压电性能的影响
机译:N合金化的AlN薄膜:结构,压电和磁性。
机译:具有SU-8 / PDMS支持层的集成压电AlN薄膜用于柔性传感器阵列
机译:BaTiO3压电薄膜制备工艺的三尺度分析及实验验证
机译:基体组成对反应溅射alN薄膜压电响应的影响;薄固体薄膜
机译:用于沉积压电薄膜的ALN ALN方法,该方法是ALN的压电薄膜
机译:用AlN AlN沉积压电薄膜和AlN的方法
机译:AlN AlN AlN AlN AlN烧结体AlN基质及其制备方法
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