硅氧烷硫化物与铈盐复合膜对铝合金耐点蚀能力的影响

摘要

通过在AA6063铝合金表面预沉积Ce^(3+),再浸涂双-[三-(乙氧基)硅丙基]四硫化物(BTST)的分步沉积工艺,制备了一种高耐蚀性的CeO_2/BTST复合转化膜。结果表明:单独CeO_2膜仅可使铝合金在3%NaCl溶液中的极化电阻提高一个数量级;但复合膜则可使之提高两个数量级,且点蚀电位上升近400 m V。CeO_2/BTST复合膜对铝合金亚稳态或稳态点蚀发展有强烈抑制作用,其噪声电阻达到10 MΩ·cm^2以上,在浸泡168 h内基本无亚稳态点蚀发生,而单独的CeO_2膜或BTST自组装膜的耐蚀性均有限,在3%NaCl溶液中浸泡168 h后铝合金表面即出现大量点蚀。由于CeO_2能优先吸附于第二相(AlFeSi)组织表面,抑制亚稳态点蚀生长;而硅氧烷与Al—O键结合能高,能有效提高Al基体的全面保护能力,得益于二者的协同作用,采用顺序沉积铈盐/硅氧烷所制备的复合保护层,能同时显著提升铝合金的全面腐蚀与局部腐蚀抗力。