一种获得纳米间隙电极的接触光刻方法

摘要

提出一种称之为"阵列误差光刻"的方法。采用两次接触光刻和两次金属剥离工艺,形成两组顶端相对的电极阵列,利用第二次接触光刻时的对准误差,在这两组电极之间按照概率分布形成了一个最小的纳米间隙。设计并制作了一种含有16对电极的验证器件,按照光刻对准误差的范围为±2.0μm进行估算,理论上最小间隙的分布范围为0～150 nm。通过扫描电镜测量实际制造的样品,获得了大量50 nm以下的电极对,最小间隙为16.6 nm,并且制备的电极层厚度可以达到200 nm,使串联电阻较小。这种纳米间隙电极的制备方法简单有效。