Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs （100）  substrates by using MOCVD

梁松; 朱洪亮; 潘教青; 王圩

首页> 中文期刊> 《中国物理：英文版》 >Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs （100） substrates by using MOCVD

Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs （100） substrates by using MOCVD

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

著录项
相似文献
相关主题

著录项

来源
《中国物理：英文版》 |2006年第5期|1114-1119|共6页
作者
梁松; 朱洪亮; 潘教青; 王圩;
展开▼
作者单位

National Research Center of Optoelectronic Technology;

Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences;

Beijing 100083;

China;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类量子论;
关键词
自装配量子点; 铟砷化物; 双峰尺寸分布; MOCVD;

相似文献

中文文献
外文文献

1. Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation–dissolution–regrowth method [J] . 杨冠卿 ,张世著 ,徐波 . 中国物理：英文版 . 2017,第6期
2. Temperature-Dependent Photoluminescence Characteristics of InAs/GaAs Quantum Dots Directly Grown on Si Substrates [J] . 王霆 ,刘会赟 ,张建军 . 中国物理快报：英文版 . 2016,第4期
3. Temperature Insensitivity of Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots due to a Pregrown InGaAs Quantum Well [J] . 梁志梅 ,金灿 ,金鹏 . 中国物理快报：英文版 . 2009,第1期
4. Temperature-Dependent Optical Properties of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots: Spectroscopic Measurements and an Eight-Band Study [J] . 周孝好 ,陈平平 ,陈效双 . 中国物理快报：英文版 . 2011,第11期
5. Unusual Temperature-Dependent Optical Properties of Self-Organized InAs/GaAs Quantum Dots at High Excitation Power [J] . 魏永强 ,刘会■ ,柴春林 . 中国物理快报：英文版 . 2001,第7期
6. Highly Dense Nanometer-Sized InGaAs Ridge Quantum wire Arrays Directly Grown by Selective MBE on Patterned InP substrate [C] . . 第六届全国分子束外延学术会议 . 2001

Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs （100） substrates by using MOCVD

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅