衬底温度对CuCrO2薄膜结构及光电性能的影响

摘要

采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备CuCrO2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外吸收光谱以及电导率的测定,表征不同衬底温度沉积薄膜样品的结构与光电性能.结果表明:薄膜的结晶度、可见光透过率与室温电导率均随衬底温度的升高而增大.衬底温度升高至923 K后,薄膜由非晶转变为具有铜铁矿结构的单相CuCrO2.1023 K沉积的薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为50％,室温电导率为0.33 S/cm.在近室温区(150～300 K),1023 K沉积薄膜导电规律符合半导体热激活模式,激活能为0.04 eV.