新型黄色长余辉材料γ-SrGa_(2)O_(4):Bi^(3+)的制备及性能

摘要

长余辉材料中的深陷阱具有优异的能量存储和释放性能,因此在光学信息存储方面有很大应用优势。本文采用高温固相法合成了新型黄色长余辉材料γ⁃SrGa_(2)O_(4)∶Bi^(3+),其发射光谱是以565 nm为中心、范围为400~800 nm的宽带发射,该发射归属于Bi^(3+)离子的3P_(1)→1S_(0)跃迁。在紫外灯照射后,观察到γ⁃SrGa_(2)O_(4)∶Bi^(3+)样品明亮的黄色长余辉发光。通过热释光谱分析可知γ⁃SrGa_(2)O_(4)∶Bi^(3+)中主要有三种陷阱,其深度分别为0.678,0.838,0.978 eV。深度为0.678 eV的浅陷阱是该材料产生长余辉现象的主要原因,而深度为0.838 eV的深陷阱对应的热释峰强度在12 h后仅下降18.6%,这说明深陷阱中电子释放缓慢。基于材料的深陷阱性能,设计了字母图案并对其进行光学信息存储实验,结果表明该材料在信息存储方面有潜在应用前景。