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吕梦雅; 陈洲文; 王文魁; 刘日平;
燕山大学亚稳材料制备技术与科学重点实验室;
河北秦皇岛;
066004;
燕山大学信息科学与工程学院;
R8相; 第一性原理方法; 电子结构;
机译:在适度压力下,对抗氮化锗锗硫化锗的能量密度增强和异国情调的电子性质的见解
机译:锗的R8相的证据
机译:压力下双伽马素NI3TA相的密度函数理论计算:结构,机械和电子性质
机译:锗纳米结构的电子和光学性质的局限和对称效应
机译:硅/硅锗锗异质结构中的高迁移率二维电子:实现和传输性质。
机译:3D卤化铅的高压单晶结构钙钛矿杂化及其对电子和光学的压力效应性质
机译:新型石墨烯二维双层锗二氧化锗:电子结构和光学性质
机译:波纹表面上电子的熔化:液相和固相中的结构和动力学性质
机译:锗结构,锗鳍片场效应晶体管结构和锗互补金属氧化物-半导体激光器的晶体管结构
机译:电子设备中使用的场效应结构的生产包括准备衬底,栅区域设置在漏极和源极之间,并形成锗牺牲层
机译:具有p型硅锗或碳化硅锗栅极的结型场效应晶体管结构及其形成方法
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