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锗R8相结构的压力效应及电子性质

         

摘要

使用第一性原理方法研究了锗R8相在压力下的电子结构.计算基于平面波基组,使用模守恒赝势和局域密度近似.对锗R8相结构参数的压力依赖性也进行了研究,包括晶格常数、伞状角、原子位置参数随压力的变化情况.计算得到的R8相的能带结构表明,锗R8相属于半金属相.对总的态密度和分波态密度进行了分析,并考虑了轨道分布情况,态密度呈现出带边的锐化.同时得到锗R8相的两种不同键的键长随压力的变化情况,并分析了这种变化的起因.

著录项

  • 来源
    《高压物理学报》 |2006年第3期|291-295|共5页
  • 作者单位

    燕山大学亚稳材料制备技术与科学重点实验室;

    河北秦皇岛;

    066004;

    燕山大学信息科学与工程学院;

    河北秦皇岛;

    066004;

    燕山大学亚稳材料制备技术与科学重点实验室;

    河北秦皇岛;

    066004;

    燕山大学亚稳材料制备技术与科学重点实验室;

    河北秦皇岛;

    066004;

    燕山大学亚稳材料制备技术与科学重点实验室;

    河北秦皇岛;

    066004;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体能带结构;
  • 关键词

    R8相; 第一性原理方法; 电子结构;

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