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陈鹏; 沈波; 王牧; 周玉刚; 陈志忠; 臧岚; 刘小勇; 黄振春; 郑有; 闵乃本; 杭寅;
南京大学物理系固体微结构实验室;
中国科学院安徽光学精密机械研究所;
氮化镓; MOCVD; 量子点; 中间亚稳态相;
机译:水平生长MOCVD中不同生长条件的InGaN / GaN自组装量子点的生长行为
机译:使用两步MOCVD法的GaN纳米线的晶体生长
机译:金属有机化学气相沉积法两步生长GaN量子点
机译:MOCVD在纳米砷化镓金字塔上控制砷化铟量子点的生长及器件实现
机译:在MOCVD中通过GaN热分解制备低密度GaN / AlN量子点
机译:MOCVD中低密度GaN / AlN量子点GaN热分解的制备
机译:通过金属有机化学气相沉积(mOCVD)生长富InGaN量子点(QD)
机译:金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在多孔氮化镓(GAN)模板上生长氮化铟镓(INGAN)
机译:形成通过金属有机汽相外延(MOCVD)生长的氮化铟(InN)和氮化铟镓(InGaN)量子点
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