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刘祥林; 王成新; 韩培德;
中国科学院半导体材料开放实验室,北京,100083;
GaN; 2DEG; MOVPE;
机译:一种AlGaN / GaN高电子迁移率,具有内置光发射器,使用二维电子气体和孔的辐射重组
机译:INN / GAN数字合金通道高电子移动晶体管二维电子气体的电子迁移率计算
机译:在4H-SIC上生长的AlGaN / GaN高电子 - 迁移晶体管结构中二维电子气体迁移率和晶体质量的相关性
机译:具有高迁移率的Al / Sub X / Ga / Sub 1-X / N / GaN异质结构的制备和表征,具有二维电子气体的高迁移率
机译:高迁移率二维电子气的磁输运研究。
机译:高迁移率二维电子气的高热电功率因数
机译:基于高室温迁移率和应变敏感性的5S氧化物的二维电子气体
机译:用于超快速电子应用的ZnO / ZnmgO界面的高迁移率二维电子气体。
机译:二维电子气密度增加的高电子迁移率晶体管的制造方法
机译:具有二维电子气体的电极和二维电子气体的制造方法
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