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等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究

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以正硅酸乙酯(TEOS)/C4F8/Ar为气源,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a-SiCOF介质薄膜,并借助X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究.

著录项

来源
《高技术通讯》 |2001年第11期|52-55|共4页
作者
丁士进; 张庆全; 王鹏飞; 张卫; 王季陶;
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作者单位

复旦大学电子工程系,;

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复旦大学电子工程系,;

复旦大学电子工程系,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜技术;
关键词
等离子体增强化学气相淀积; a-SiCOF薄膜; 稳定性; XPS; FTIR;

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