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王三胜; 顾彪; 徐茵;
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;
GaN; ECR-MOCVD; 热力学分析; 生长相图;
机译:LiGaO_2单晶作为GaN薄膜生长的衬底
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机译:使用Aln / GaN有序合金作为缓冲层的立方GaN薄膜生长的新方法
机译:单晶AlN和GaN的热力学建模
机译:原子氮/氢的作用在GaN薄膜生长中通过用双重等离子体来源化学辅助溅射
机译:CMOS兼容Si(100)衬底的GaN离子切片热力学热力学研究及其高质量GaN薄膜
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机译:GaN单晶衬底,制造GaN单晶衬底的方法,在GaN单晶衬底上形成的发光元件以及制造该GaN单晶衬底的方法
机译:单晶GaN衬底,生长单晶GaN的方法和生产单晶GaN衬底的方法
机译:GaN单晶基板,制造GaN单晶基板的方法,在GaN单晶基板上制造的发光元件以及制造发光元件的方法
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