低温制备透明导电膜SnO2:F及其结构和性质研究

摘要

SnO2:F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料.本文采用超声喷雾热解成膜技术,对沉积装置进行了改进,同时对反应液配方进行了优化,制备出透明SnO2∶F导电薄膜.用XRD、UV/Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究.结果表明,在360℃沉积温度下制备的SnO2∶F薄膜,其方块电阻为4.7Ω,(200)面择优取向明显,薄膜晶粒均匀,表面形貌有所改善,透明度有所提高.