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于博;
《中国电子商情:基础电子》记者;
逻辑技术; 互连技术; 芯片技术; 性能要求; 功耗; 富士通; LSI; 集成度;
机译:富士通的45nm一代低功耗器件/工艺技术通过采用全低k集成了与上一代产品相同芯片面积的两倍元素,实现了低功耗
机译:采用针对每个晶体管区域进行了优化的多重应变技术的45nm高性能和低泄漏体逻辑平台技术
机译:采用针对每个晶体管区域进行了优化的多重失真技术的45nm高性能和低泄漏批量逻辑平台技术
机译:利用FET特定多重压力源的高性能和低功耗批量逻辑平台,具有高度增强的应变和全多孔低k互连,适用于45nm CMOS技术
机译:高k门堆叠在化合物半导体通道材料上,用于低功耗,高性能数字逻辑应用
机译:原子层沉积技术在高性能RRAM交叉开关阵列中进行逻辑运算的演示
机译:为高性能和低功耗逻辑晶体管应用基准纳米技术
机译:富士通ap1000大规模并行多处理器同步模拟退火的可满足性测试
机译:适用于高性能集成电路的低RC多层互连技术
机译:通过对互连线进行退火并使用低偏置电压和低层间介电常数以及半导体芯片制造方法来降低互连线的退火应力,从而降低0.25-mgr和更小半导体芯片技术的应力诱发空隙的方法
机译:自适应低功耗高性能逻辑设计和物理设计技术
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