硫源对双壳层NiCo2S4超级电容性能影响

摘要

通过自模板法,选用硫代乙酰胺(TAA)、硫脲(TU)分别作硫源制备双壳层NiCo2S4纳米材料.其中以TAA为硫源制备的NiCo2S4表现出高的比电容(2064F/g,当电流密度为0.5A/g时),优异的倍率性能(1291F/g,当电流密度为20A/g时)和较好循环稳定性.由动力学机制分析可知,NiCo2S4-TAA表面控制电容和扩散控制电容较NiCo2S4-TU均有提升.通过实验分析可知,TAA作为硫源合成的NiCo2S4是由较小的次级颗粒聚集而成,这有利于电化学过程中电解质离子的扩散.由于较好的导电性能和离子扩散速率,NiCo2S4-TAA表现出优异的电化学性能.上述结果表明,在本实验条件下,TAA是制备NiCo2S4电容器电极材料的最佳硫源.