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惠春; 徐爱兰;
上海交通大学微纳米科学技术研究院,;
SnO2-x 纳米结构,气敏特性,机理;
机译:Sn-Sb-O和Pb-Ru-O系统中复合氧化物基厚膜的结构和电阻率温度响应1
机译:纳米Mg0.2Cd0.8Al2O4基厚膜传感器的气敏特性
机译:PtCl_2溶液摩尔浓度的浸涂法制备纳米SnO_2基厚膜的气敏特性
机译:SNSB和Sn纳米结构的电沉积作为锂离子电池的阳极材料
机译:对无铅焊料替代品(包括Sn基微凸点配置和Cu基纳米材料)可靠性的系统研究。
机译:探讨Sn含量在SnSb @ C中的关键作用纳米纤维阳极对锂的存储机理和电池性能的影响
机译:用优化的SB:Sn合金负载SnO2基厚膜电阻的电学特性:Sn合金
机译:119 sn-moessbauer-spektren von Funktionell substituierten stannylenen und Ihren stannio-Komplexen mit Chrom-,molybdaen- und Wolfram- Carbonyl-acceptoren(119 sn mossbauer谱的功能取代亚茚基及其锡 - 与铬,钼和钨 - 羰基配合物受体)。
机译:功率半导体器件,其功率半导体元件通过Sn-Sb-Cu焊料粘结到基板,并且端子通过Sn-Ag基或Sn-Ag-Cu基焊料粘结到基板
机译:功率半导体器件及其制造方法,所述功率半导体器件具有通过Sn-Sb-Cu焊料结合到基板上的功率半导体元件以及通过Sn-Ag基或Sn-Ag-Cu基焊料结合到端子的端子
机译:-3-以三元过渡金属-Sn-Sb合金为前驱体和负极材料制造包括复合材料的Sn-Sb复合和过渡金属碳化物的复合材料的制造方法
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